具备先进封装技术

系统级SiP封装技术

   公司具备行业内领先的SiP封装的方案制定、设计、仿真能力,包括各类型的封装形式,如:陶封、塑封、堆叠、平铺、2.5D、POP、PiP、Fanout、WLCSP等,并提供 SiP封装相关的器件选择方案,(裸芯、器件、无源器件),以及不同的工艺实现方法(wire bond、flipchip、基板工艺),并进行信号完整性、电源完整性(布局、各种信号评估、Ball Map),热功耗(评估、措施),可制造性(设计、材料选择、叠层、厚度),可靠性(翘曲、应力、分层、芯片碎裂)等专业性的评估。
 
系统级SiP封装技术


Fc倒装封装技术

公司具备Fc倒装封装的设计、仿真能力。具备FC-PiP封装、高脚数FC-BGA封装、16/14nm的FC倒装封装、单芯片与多芯片倒装HFcBGA(FcBGA)封装、混合封装FC+WB(包含POP)、2.5D封装(含3D TSV及混合3D)等技术。
 
Fc倒装封装技术


技术能力、特点及关注点

技术能力:芯片堆叠:目前已具备五层芯片堆叠技术
Fine pitch:对BPO≥45um,BPP≥50um的一系列Fine pitch的芯片加工制造能力
Wire type:具备Gold wire、Alloy wire及Copper wire制程能力
DA制程:可根据工艺做DAF、Epoxy、红胶产品的生产
Product type:具有QFN、TF卡、BGA、LGA、PBGA、FBGA等生产打样能力
RDL+Bumping:锐杰微科技具备6-12英寸多层再布线(RDL)和高可靠有铅凸点生长的研发及代加工能力,可进行的凸点生长包括solder bump、copper pillar,有铅凸点及无铅凸点。RDL布线多至3层。
 
五层芯片堆叠技术

产品特点:
多核(4核,8核。)
高带宽(DDR4,PCIe3.0,高速Serdes…)
高功耗(几十W,100-200W+)
多芯片(CPU,DDR,HBM,FPGA,ADC)
混合工艺(WB+FC)
多种制程(2.5D,3D)
混合高频信号
 
 
产品关注点:
结构和材料选型
信号完整性
信号干扰
电源完整性(AC,DC)
散热性能
可制造性(工艺)
可靠性(塑封7400N1,AEC-Q100,气密性,抗幅照…)
 
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